Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate80000 IOPSMaximum Random Write Rate85000 I
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate72000 IOPSMaximum Random Write Rate82000 IOPS
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare120 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate50000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate85000 IOPSMaximum Random Write Rate88000 IOPS
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare240 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate50000 IOPSMaximum Random Write Ra