Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-1000W 1000VA 700W. Putere totala: 1000VA. Capacitate nominala: 700W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-2000W 2000VA 1400W. Tensiune baterie 24V (2 x 12V). Putere totala: 2000VA. Capacitate nominala: 1400W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu 2 baterii de 12V (bateriile nu sunt incluse).
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-1000E 1000VA 700W. Putere totala: 1000VA. Capacitate nominala: 700W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Curent incarcare selectabil: 5A / 10A. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-1500E 1500VA 1050W. Putere totala: 1500VA. Capacitate nominala: 1050W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
UPS centrala termica VOLT sinus PRO-800E 800VA 500W. Putere totala: 800VA. Capacitate nominala: 500W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read R
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1.02 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rand