Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Wr
Factor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate87000 IOPSMaximum Sequential
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Writ